Extrem rauscharme JFETS für den Gigahertz-Bereich

Kurzbeschreibung

© Fraunhofer EMFT

Siliziumwafer mit rauscharmen JFETs, im Hintergrund Mikroskopaufnahme

Ziel des Fraunhofer-internen Projekt low-Noise ist es, neuartige, extrem rauscharme FETTransistoren weiterzuentwickeln und an spezifische Anforderungen potenzieller Kundinnen und Kunden anzupassen. Der Vorteil des low-Noise JFETs liegt darin, dass er eine Grenzfrequenz von 1Ghz erreicht – und damit verglichen mit kommerziellen Angeboten der bislang „schnellste“ JFET-Transistor auf Siliziumbasis ist. In Röntgenfluoreszenzanwendungen kann mit den lownoise JFETs der Fraunhofer EMFT im Vergleich zu derzeit am Markt verfügbaren Transistoren die gleiche spektrale Auflösung in der Hälfte der Zeit gemessen werden. Zudem arbeiten die low-noise JFETs bei Raumtemperatur, eine Kühlung ist also nicht erforderlich. Dadurch werden sowohl der Aufbau des Sensors wesentlich vereinfacht als auch Kosten und Stromverbrauch reduziert.

Durch eine weitere Optimierung in den Bereichen Robustheit, Grenzfrequenz und Rauschen soll die Messzeit noch weiter verringert werden. Perspektivisch ist auch ein Einsatz in Hochfrequenzoszillatoren und Mischern denkbar.

 

Gefördert

Das Projekt wird im Rahmen des Fraunhofer internen Programmes MEF gefördert.