HRFET – Hochfrequenztaugliche Rauscharme Feldeffekttransistoren

Kurzbeschreibung

Grundidee des MST-Bayern Projektes ist die Entwicklung von FET Transistoren, die im Giga-Hertz Bereich eingesetzt werden können und extrem rauscharm sind.

Projektinhalt ist sowohl die Weiterentwicklung von sogenannten JFETs (Junction FETs), als auch die Neuentwicklung eines CMOS-Konzeptes mit „Buried channel“ MOS-Transistoren. Beide Konzepte basieren auf selbstjustierenden Prozessen.

Anwendung

Die zu entwickelnden Feldeffekttransistoren werden einerseits für eine Vorverstärkerstufe im Röntgenspektroskopiebereich eingesetzt, anderseits ist ein Einsatz in Hochfrequenzoszillatoren und Mischern geplant.
 

Partner

Ketek GmbH 

Gefördert

Das Projekt wird vom Bayerischen Staatsministerium für Wirtschaft, Infrastruktur, Verkehr und Technologie im Rahmen MST-Bayern gefördert.