NanoFET - Nanogap FET für Sensoranwendungen

Kurzbeschreibung

Der Projektname „NanoFET“ bezieht sich auf einen Feldeffekttransistor, dessen Gate mechanisch beweglich ist. Mechanisch schwingende Zungen und Membranen als Sensoren für Beschleunigung und Druck sind bereits seit Beginn der MEMS-Technik bekannt, werden im Projekt entscheidend verbessert. 

Die Schwingstrukturen befinden sich nur wenige Nanometer über dem Kanalgebiet, wodurch bereits geringste mechanische Auslenkungen des Gates zu starken Änderungen der elektrischen Eigenschaften des Feldeffekt-Transistors führen. Dies erhöht die Empfindlichkeit des Systems im Vergleich zu herkömmlichen Systemen signifikant. Zudem kann dieses Prinzip bis weit unter einen Mikrometer skaliert werden.

Anwendung

Durch die erst seit kurzem realisierbare Technologie ist die Erzeugung mechanischer Sensoren möglich, die qualitativ die heute verfügbaren übertreffen werden. Als Demonstrator ist die Entwicklung eines Chemosensor, beispielsweise zur Überwachung des Raumklimas, geplant. Insbesondere die Skalierbarkeit und die völlige Kompatibilität zu CMOS-Prozessen werden preiswerte Sensoren zur Messung von Beschleunigung, Frequenznormale und viele daraus ableitbare Größen ermöglichen.

Partner

  • Infineon Technologies
  • Micro-Epsilon
  • Siemens CT

Gefördert

Dieses Projekt wird von Infineon Technologies und vom Freistaat Bayern gefördert.