Ein Pilot-Fertigungsversuch auf einer Applied Materials Producer Anlage mit über 70.000 prozessierten Wafern und damit auch ca. 70.000 durchgeführten Reinigungszyklen zeigte zudem, dass durch die Reinigungsprozesse mit der „Solvaclean®N“ Fluorgasmischung gleiche Partikelwerte erzielt wurden wie mit der standardmäßig eingesetzten Ar/NF3 Chemie. Erste Bauteile, welche PECVD-basierte SiO2-Schichten enthalten die mit umweltfreundlicher Reinigungschemie gefertigt wurden, wurden von Texas Instruments bereits am Halbleitermarkt ausgeliefert. Somit wurde für Ar/NF3-basierte Reinigungsprozesse mit remote plasma system (RPS) ein F2-basierter, klimafreundlicher Reinigungsprozess qualifiziert.
Mit einem zweiten Fertigungsversuch wurde auf einer LAM Novellus Sequel PECVD-Anlage (Silan—basiertes Oxid/Nitrid) die Standard-Reinigung, basierend auf C2F6/O2, durch eine umweltfreundliche „Solvaclean®No“ in-situ Plasmareinigung ersetzt. Auch dieser Reinigungsprozess konnte nach über 25.000 prozessierten Wafern qualifiziert werden.
Um zukünftig noch weitere Effizienzsteigerungen ermöglichen zu können, wird bei Texas Instruments eine neuartige Mikrowellen-basierte Remote Plasmaquelle der Firma Muegge GmbH getestet werden – die Vorentwicklungen dazu wurden beim Fraunhofer EMFT im Rahmen des ecoFluor Projektes durchführt.
Weitere Halbleiter-Fabrikations-Standorte in Deutschland investieren derzeit in ihre Gasversorgung, um die Solvaclean® Reinigung einsetzen zu können.
Das Projekt wird zum Teil mit Mitteln des BMBF-Vorhabens „r+Impuls – Innovative Technologien für Ressourceneffizienz – Impulse für die industrielle Ressourceneffizienz” gefödert, das als Teil eines Rahmenprogramms in der „Forschung für nachhaltige Entwicklung" (FONA) eingebettet ist.