Testlabor für elektronische Bauteile

Klimaschrank Feuchte-Wärme

Klimaprüfung: Feuchte-Wärme-Zyklisch bis +95°C und 98 % r.F.

Klimaschrank mit 2 Prüfkammern

Klimaprüfung: Rascher Temperaturwechsel bis zu -80°C und 220°C

Klimaschrank Temperaturwechsel

Klimaprüfung: Temperaturwechselprüfung -80°C 200°C und bis 10k/min

Precision Temperature Forcing System

Rapid temperature fluctuations and temperature cycling

Trockenschrank

Temperaturlagerung bis zu 300°C

Hochstrom-Labornetzgerät

Aktiv Thermobelastungstests bis 1000 A

Elektrodynamische Schwinganlage

• Sinusförmig, Breitband bis 2,93 kN Vektorkraft und 4000 Hz
• Schockprüfung bis 5,9 kN
• Dreiachsiger Aufspannvorrichtung

Zug/ Druck Material Prüfmaschine

• Zug und Druckprüfungen mit unterschiedlichen Kraftaufnehmer
• Überlagerte Prüfungen mit Klimakammer
• Feindehnungsmessung sowie Videoerfassung

Metallografische Schliffpräparation 

• Hochpräzise, chemisch-mechanische Polier- und Schleifmaschinen
• Fluoreszenz-Einbettmittel

Stereo- und Auflichtmikroskope mit Bildanalyse

• ·Verschiedene Mikroskopobjektive (Vergrößerung bis 1500x)
• Diverse Kontrast- und Belichtungs-möglichkeiten (BF, DF, PO, DIC, Fluoreszenz)

Konfokalmikroskopie & Profilometrie (optisch, taktil)

Profil-, Topographie-, Dicken- (TTV) und Rauheitsmessungen mit hoher lateraler sowie vertikaler Auflösung

Rasterkraftmikroskopie (AFM)

• Diverse Messmodi mit nm-skaliger Ortsauflösung Topographie & Rauheit
• Diverse Messmodi mit nm-skaliger Ortsauflösung elektrische & magnetische Charakterisierung (u. a. SCM)

Hochauflösende Rasterelektronenmikroskope mit EDX-Analyse

• Detektoren: SE2, BSE, InLens
• Variabler Kammerdruck
• EDX für Elementanalyse mit Mapping und Linienprofile

IR-Photonenemissionsmikroskopie & -Thermografie

• EMMI (Emissionsmikroskopie) & OBIRCH (Optical Beam Induced Resistance Change)
• Lokalisierung von Fehlstellen zur Fehleranalyse

Röntgenprüfanlage mit Hochleistungs- µCT-Scan

• 2D-, CT- und Laminographie-Scans
• Auflösung bis zu 500 nm
• 25 – 160 kV Range
• 16 Bit Flachdetektor mit 65.536 Graustufen

Reflektometrie & Ellipsometrie

Schichtdickenanalyse von semi-transparenten Schichten 

FTIR-Spektroskopie

Aufschlüsselung der chemischen Zusammensetzung

MD-PICTS

Defektcharakterisierung in Halbleitern als kleine, vereinzelt

Source Meter, Teraohm- und Picoamperemeter

• Hochauflösende DC-Spannungs- und Stromquellen
• Hohe Auflösung und Samplingraten

Contaminometer

• Messung von ionischen Verunreinigungen auf Platinen und Baugruppen

Tauchlötbad mit SPS-Steuerung

• Lötbarkeitstest von Platinen

Bondpull- & Bond Ball/ Die Shear Test

• Bondpull und Ball shear tests an Bonds ab 20µm 

Baustein- und Chippräparation

Hochpräzise 5-Achs-CNC-Fräse mit integriertem Schichtdickensensor

• Mechanische Präparation von Platinen
• Rückdünnung von IC-Bausteinen bis in den einstelligen µm-Bereich
• Bearbeitung einzelner Bausteine auf Platinen bei gleichzeitigem Erhalt der elektrischen Funktionalität möglich

Chemisch-mechanisches Schleif- und Poliersystem (CMP)

• Präziser, abrasiver Materialabtrag über unterschiedlich dimensionierte Folien & Suspensionen
• Entfernung von IC-Schichten (IMD und Metalllagen) für Querschliffanalysen
• Selektivität mittels Slurries möglich

Infrarot (IR) - Laseranlage

• Lasermarkierung von Bausteinen
• Laserbearbeitung von Bausteinen 
• Lasermarkierung als Batch-Prozess von Trays
• Entkapseln von Bausteinen
• Laser-Spotsize 50µm

Ionenstrahlätzanlage Typ „IntlVac Nanoquest I“ 

• Homogenes und hochpräzises Bearbeiten & Abtragen einzelner IC-Schichten
• für Metalle, Polymere, Oxide, Nitride & sonstige, typische Halbleitermaterialien
• Diverse Prozessgase für rein physikalischen Abtrag (IBE)
• Diverse Prozessgase für Selektiven, chemischen Abtrag (RIBE/CAIBE)

• Hohe Homogenität über große Fläche durch stabilen Ionenstrahl mit 80 mm Durchmesser
• In-Situ Prozessüberwachung mittels SIMS (Sekundäre Ionen-Massenspektrometrie)

ICP-RIE-Plasmaätzanlage

• Präzise, selektive Ätzung von IC-Schichten
• für Polymere, Oxide, Nitride, Silizium & sonstige, typische Halbleitermaterialien
• mit Endpunktdetektion

Rasterelektronenmikroskop für Chipscanning, Typ „Raith 150 Two“

• Hochauflösende Aufnahmeprozesse (Auflösung < 2nm/pixel)
• sehr hohe Systemstabilität ermöglicht sehr lange Scans über mehrere Tage
• Konvertierung der Einzelaufnahmen in gestitchtes GDSII-Layoutformat

Dual-Beam Focussed Ion Beam / Rasterelektronenmikroskop Anlage Typ „Raith Velion“ für präzise Bearbeitung und Modifikation von IC‘s

• Auflösung Si-Strahlquelle: bis 6nm/pixel, mit Au-Strahlquelle: bis 12nm/pixel
• FIB-Querschnitte durch Bausteine
• Circuit Editing
• Integriertes EDX für Elementanalyse
• FIB-Quellen: Si, Au
• Arbeitsgase: Pt, XeF2
• SEM für in-situ Prozesskontrolle
• Nanomanipulatoren für EBIC/EBAC-Messungen

Hochauflösendes Rasterelektronen-mikroskop Typ Zeiss Gemini 560 für Analysen und Prozesskontrolle

• Auflösung 1nm/pixel
• “Low kV”-Modus
• Variabler Kammerdruck
• EDX für Elementanalyse
• Detektoren: SE2, BSE, InLens, InLens-BSE, STEM
• ATLAS-System für Chipscanning
• Nanomanipulatoren für EBIC/EBAC-Messungen
• E-Beam-Probing

Weiteres Equipment für Bearbeitung und Prozesskontrolle

• Hochauflösendes Digitalmikroskop (Vergrößerung bis 1000x, weitere Digitalvergrößerung möglich)
• Hochauflösendes IR-Digitalmikroskop (Vergrößerung bis 1000x)
• Hochauflösende Konfokalmikroskope
• Hochauflösende Profilometer (optisch & taktil)
• Rasterkraftmikroskop (AFM) mit diversen Messmodi (u. a. SCM)
• UV-VIS-Reflektometer & Ellipsometer
• Ionenpoliersystem
• MW-Plasmaverascher & - dekapsulator
• Nasschemische, selektive Präparation von diversen Materialien

Weiteres Equipment für Bausteinanalyse

• Halbleiterparameteranalysatoren
• 62 GHz-Echtzeitoszilloskop
• Erzeugung und Messung von Piko- und Nanosekunden-Hochstromimpulsen zur Fehlerlokalisierung

Kryostat (Temperatur<10 mK)  

• Q-Faktor-Messungen von supraleitenden Resonatoren bis zum single photon limit
• Verschiedene Qubit-Charakterisierungsmessungen (one-tone spectroscopy/power sweep, two-tone spectroscopy, T1, T2*, T2)
• RF-Messungen bis 18 GHz (z.B.  Resonatoren)
• Gleichstrommessungen (z.B. Widerstand, kritischer Strom, Transistorkennlinien)
• Messungen auf der 4K-Platte (z.B. für Kryoelektronik)
• Messungen in Abhängigkeit der Temperatur

Transmission Line Pulser TLP

• Hochstromcharakterisierung von Einzelbauelementen und Schaltungen (ANSI/ESD STM5.5.1-2016)
• Pulsdauern von 1 ns bis 1.6 µs (Pulsdauern < 1ns auf Anfrage)
• Maximale Pulsstromstärke 80 A (in einen Kurzschluss)
• Messbandbreite bis zu 67 GHz

Human Body Model HBM Tester (Bausteintest)

• Device Level HBM nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2023
• 2-Pin Testsystem (minimale parasitäre Elemente)
• Maximale Testspannung 10 kV
• Package und Wafer/Bare Die Test
• Messung aller Belastungsimpulse
• Leckstrommessung zur Ausfalldetektion

Human Body Model HBM Tester (Systemtest)

• ESD Gun System Level HBM
• Maximale Testspannung 30 kV
• Messung des Entladestroms

Charged Device Model CDM Tester

• CDM Test nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2025
• Hochpräzise Positionierung des Entladepins im Bereich ±1 µm
• Maximale Testspannung 3kV
• Messung aller Entladeströme

Capacitively Coupled Transmission Line Pulsing CC-TLP

• CC-TLP Test nach ANSI/ESD SP5.3.4-2022
• Präzisere ESD-Belastung als Alternative zum CDM
• Package und Wafer/Bare Die Test
• Messbandbreite bis zu 67 GHz

Robustheitsmessplatz (EMV Scanner)

• 4-Achsen Positioniersystem
• Positioniergenauigkeit ±20 µm
• Messung und Einkopplung von Störfeldern bei PCBs und ICs
• Spektrumanalyse bis zu 26 GHz
• Lokale Temperierung im Bereich von -70°C bis +200°C

Weiteres Equipment

• Halbautomatischer Waferprober mit Thermochuck für Wafer mit Durchmesser bis 300mm
• Halbleiterparameteranalysatoren
• Netzwerkanalysatoren im Bereich bis 110 GHz und Simulator Agilent ADS
• 62 GHz-Echtzeitoszilloskop
• Erzeugung und Messung von Piko- und Nanosekunden-Hochstromimpulsen zur Fehlerlokalisierung

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