Rauscharme JFET

Die Wissenschaftler und Wissenschaftlerinnen der Fraunhofer EMFT entwickeln  neuartige, extrem rauscharme JFET-Transistoren und passen sie an spezifische Anforderungen potenzieller Kundinnen und Kunden an. 

Beispielsweise in der Röntgenspektroskopie hängt die Leistungsfähigkeit des Detektormodules neben dem Sensorbauelement vor allem von der Qualität der ersten Verstärkerstufe ab. Die an der Fraunhofer EMFT entwickelten rauscharmen JFET-Transistoren ermöglichen extrem rauscharme Verstärker. Damit bieten sie großes Optimierungspotenzial für Bereiche wie Materialanalyse, Recycling oder Sicherheitsanwendungen.

Rauscharme JFET
© Fraunhofer EMFT / Bernd Müller
Rauscharme JFET -Transistoren

Der Vorteil des extrem rauscharmen JFETs liegt darin, dass er eine Grenzfrequenz von 1Ghz erreicht – und damit verglichen mit kommerziellen Angeboten der bislang „schnellste“ JFET-Transistor auf Siliziumbasis ist. Beispielsweise in Röntgenfluoreszenzanwendungen kann mit den lownoise JFETs der Fraunhofer EMFT im Vergleich zu derzeit am Markt verfügbaren Transistoren die gleiche spektrale Auflösung in der Hälfte der Zeit gemessen werden. Zudem arbeiten die rauscharmen JFETs bei Raumtemperatur, eine Kühlung ist also nicht erforderlich. Dadurch werden sowohl der Aufbau des Sensors wesentlich vereinfacht als auch Kosten und Stromverbrauch reduziert.

Durch eine weitere Optimierung in den Bereichen Robustheit, Grenzfrequenz und Rauschen soll die Messzeit noch weiter verringert werden. Perspektivisch ist auch ein Einsatz in Hochfrequenzoszillatoren und Mischern denkbar.

Es stehen fertige Chips (mit/ohne Gehäuse) zur Bemusterung zur Verfügung: Die Chips haben eine Abmessung von 0,5 x 0,5 mm. Zu den üblichen Anschlüssen ist eine Feedback-Kapazität und ein Reset-Mechanismus für den Einsatz in Ladungsverstärkern integriert.

Diese Halbleiterkomponenten stehen für Ihre Anwendungsthemen an der Fraunhofer EMFT zur Verfügung, nehmen Sie Kontakt mit uns auf!

 

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