Fraunhofer-Institut für Elektronische Mikrosysteme und Festkörper-Technologien EMFT
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Chip Design Prototyping Labor

Messumgebung für RF Chip Charakterisierung
© Fraunhofer EMFT / Bernd Müller
Messumgebung für RF Chip Charakterisierung

RF Chip Charakterisierung

Mit unseren modernen Anlagen, die durch Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) finanziert wurden, bieten wir ein breites Portfolio an RF Messungen an, um die Hochfrequenzchips der nächsten Generation zu charakterisieren.

Großsignalmessungen

 

  • Dauerstrich-Charakterisierung (CW) von Chips, die in mm-Wellen Frequenzbereichen arbeiten, und in RADAR und 5G Kommunikationsmodulen verwendet werden.
  • Signalgenerator (SG) zur Erzeugung von CW-Signalen bis 67 GHz mit großem Stör- und Rauschabstand.
  • Spektrumanalysator (SA) mit einem sehr großen Bandbreite bis 85 GHz.
  • Multiband-Frequenz-Extender zur Erzeugung von Signalen bis 170 GHz.

 

S-Parameter

State-of-the-art 4-Anschluss Keysight PNA-X VNA für differentielle S-Parameter Messungen bis 67 GHz.

Phasenrauschen

Phasenrauschen Messungen ohne Frequenzerweiterer / -Mixer für Träger bis 85 GHz.

Zeitbereichmessungen

4 GHz breitband Zeitbereichmessungen mittels R&S RTO2000 Oszilloskop.

Diese technologischen Möglichkeiten im Chip Design Prototyping Labor stehen für Ihre Anwendungsthemen am Fraunhofer EMFT zur Verfügung, nehmen Sie Kontakt mit uns auf!

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