Silizium Halbleitertechnologien

Die Forscherinnen und Forscher des Fraunhofer EMFT besitzen langjährige Erfahrung in Silizium Halbleitertechnologien. Das Institut verfügt über einen eigenen CMOS Reinraum zur Bearbeitung von Siliziumwafern und bietet eine breite Palette an Einzelprozessen und daraus resultierende Prozessfolgen als Dienstleistungen an. Bearbeitung von nicht CMOS-kompatiblen Wafern ist in einer eigenen MEMS-Linie möglich. Zur Charakterisierung von Siliziumwafern steht eine umfangreiche Messinfrastruktur zur Verfügung. Eine Kernkompetenz des Fraunhofer EMFT ist die Entwicklung von hochempfindlichen, rauscharmen Halbleiterkomponenten zum Nachweis kleinster Signale, die für anwendungsspezifische Nutzung angepasst werden können.

Bauelemente

 

Rauscharme JFET

Die am Fraunhofer EMFT entwickelten rauscharmen JFET-Transistoren ermöglichen die Herstellung extrem rauscharmer Verstärker. Damit bieten sie großes Optimierungspotenzial für Bereiche wie Materialanalyse, Recycling oder Sicherheitsanwendungen.

 

Rauscharme Dioden

Das Fraunhofer EMFT hat qualitativ hochwertige, rauscharme Dioden mit variabler Kapazität entwickelt. Dank eines optimierten Herstellungsprozesses eignen sich die Dioden für High-End-Anwendungen wie Oszillatoren mit variabler Kapazität bei GHz-Frequenzen. 

 

Interdigital Transducer

Interdigital Transducer (IDT) Komponenten sind das Herzstück der elektrochemischen Sensorik. Am Fraunhofer EMFT stehen Komponenten wahlweise für impedimetrische, amperometrische oder potentiometrische Messungen zur Verfügung. Diese können anwendungsspezifisch angepasst werden.

Prozesse und Technologien

 

3D-Integration von Halbleiterbauelementen

Heterogene 3D-Integration ist eine Schlüsseltechnologie, um miniaturisierte, multifunktionale und leistungsfähige mikroelektronische Bauteile und Sensorsysteme durch vertikale Integration der Teilsysteme zu realisieren. 

 

Waferbasierte Herstellungsverfahren von supraleitenden Qubits

Die supraleitende Qubit-Architektur ist einer der führenden Kandidaten für die Realisierung von universell einsetzbaren Quantencomputern.

Ziel des Fraunhofer EMFT ist es, durch die Entwicklung von Foundry-ähnlichen Herstellungsprozessen eine Skalierbarkeit von supraleitenden Qubits über 1000 Qubits hinaus zu ermöglichen.

 

CMOS-Linie

Der Fraunhofer EMFT 200 mm CMOS Reinraum ermöglicht eine CMOS-kompatible Bearbeitung von Siliziumwafern bis 0,34 µm Strukturauflösung. Es werden darüber hinaus Sensoren, Aktoren, Spezialbauelemente und Schaltungen entwickelt und prozessiert. Ergänzend können Layouts erstellt werden und es ist eine umfangreiche Prozesscharakterisierung vorhanden.

 

MEMS-Linie

Der Reinraum des Fraunhofer EMFT bietet modernste Technologien für die Fertigung von Mikroelektromechanischen Systemen (MEMS).

MEMS-Prozesse ermöglichen die Integration von mechanischen Komponenten mit Mikroelektronik auf Siliziumchips. Solche miniaturisierten Systeme kommen in verschiedensten Anwendungsgebieten zum Einsatz, z.B. für Sensorik, Aktorik und Mikrofluidik.

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