Memristive Komponenten

Elektrische Bauelemente, deren Widerstand sich kontrolliert und reversibel zwischen zwei oder mehreren Werten schalten lässt (memristive Komponenten oder Memristoren), haben vielfältige Anwendungsbereiche in der Verarbeitung und Sicherung von Daten (nichtflüchtige Speicher), für neuartige, „low-energy“ Computing-Architekturen (neuromorphe Elektronik / KI) und auf dem Gebiet des Hardware-basierten Schutzes vor unerwünschtem Zugriff auf Daten, Schaltungen o.ä. (PUF: physically unclonable function).  

Wafer mit Memristoren
© Fraunhofer EMFT
Wafer mit Memristoren

An der Fraunhofer EMFT werden unterschiedliche, neuartige memristive Komponenten und Bauelemente entwickelt und getestet. Dies schließt insbesondere Dünnschicht-Architekturen (MIM, metal-isolator-metal) aus verschiedenen Metallschichten und oxidischen Dielektrika ein. Durch gezielte Kombination der Materialien und geeignete elektrische Vorbehandlung des Bauelements („Forming“) können unterschiedliche Schaltverhalten (analog vs. digital) eingestellt werden. Hohe Werte der „Endurance“ (>100.000 Schaltvorgänge) werden erreicht. Die Memristoren lassen sich in Kombination mit geeigneten Selektoren in Crossbar-Arrays fertigen und stehen so z.B. der direkten Verbindung mit entsprechenden Ansteuer- und Ausleseschaltungen zur Verfügung. 

Diese Kompetenzen im Bereich memristiver Komponenten stehen für Ihre Anwendungsthemen an der Fraunhofer EMFT zur Verfügung, nehmen Sie Kontakt mit uns auf!

 

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Kompetenzbereich: 2D-Materialien

 

Leistungsangebot: Entwicklung von Sensorkomponenten und -systemen

 

Strategisches Forschungsthema: Neuromorphes Computing