Fraunhofer-Institut für Elektronische Mikrosysteme und Festkörper-Technologien EMFT
Biegetester für dünnes Silizium
Herstellung dünner Siliziumsubstrate am Fraunhofer EMFT
Bearbeitung dünner Silizium-Substrate
Zur Herstellung extrem dünner Wafer mit Dicken von 10 µm bis ca. 100 µm werden reversible Trägertechniken (temporary bonding) eingesetzt.
| Wafer Schleifen | DISCO DFG 8540 für Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm und 150 mm. |
| Nass-chemisches Spin-Ätzen | SEZ SP 203 für Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm und 150 mm. |
| Chemo-mechanisches Polieren (CMP) | Avanti 472 für Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm und 150 mm. |
Mechanischer und elektrischer Test von dünnen Silizium-Materialien und Folienelektronik-Modulen
| Biege- und Bruchtests | 3-Punkt-Biegung, Ring-Kugel Test |
| Elektrische Charakterisierung während wiederholter Biegung | |
| Wiederholte Biegung bei definiertem Biegeradius |
Diese technologischen Möglichkeiten zur Herstellung dünner Silizium-Substrate stehen für Ihre Anwendungsthemen am Fraunhofer EMFT zur Verfügung, nehmen Sie Kontakt mit uns auf!