Herstellung dünner Siliziumsubstrate an der Fraunhofer EMFT

Biegetester für dünnes Silizium
© Fraunhofer EMFT / Bernd Müller
Biegetester für dünnes Silizium

Bearbeitung dünner Silizium-Substrate

Zur Herstellung extrem dünner Wafer mit Dicken von 10 µm bis ca. 100 µm werden reversible Trägertechniken (temporary bonding) eingesetzt.

Wafer Schleifen DISCO DFG 8540 für Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm und 150 mm.
Nass-chemisches Spin-Ätzen SEZ SP 203 für Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm und 150 mm.
Chemo-mechanisches Polieren (CMP) Avanti 472 für Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm und 150 mm.

Mechanischer und elektrischer Test von dünnen Silizium-Materialien und Folienelektronik-Modulen

Biege- und Bruchtests 3-Punkt-Biegung, Ring-Kugel Test
Elektrische Charakterisierung während wiederholter Biegung  
Wiederholte Biegung bei definiertem Biegeradius  

Diese technologischen Möglichkeiten zur Herstellung dünner Silizium-Substrate stehen für Ihre Anwendungsthemen an der Fraunhofer EMFT zur Verfügung, nehmen Sie Kontakt mit uns auf!

 

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